Sk hynix rozwija pamięć ddr4 1znm 16GB (gigabit)
Spisu treści:
SK hynix ogłosił, że opracował nową pamięć DDR4 1Znm 16 Gb (Gigabits). 1Znm zaoferuje najwyższą w branży gęstość i całkowitą pojemność na płytkę dostępną dla istniejących modułów DDR4 DRAM.
SK hynix rozwija pamięć DDR4 1Znm 16 Gb (gigabity)
Firma twierdzi, że wydajność nowych modułów pamięci 1Znm została zwiększona o około 27% w porównaniu z linią 1Ynm poprzedniej generacji. Jednak proces produkcyjny nie wymaga kosztownego ekstremalnego ultrafioletu litu (EUV), dzięki czemu produkcja 1Znm jest bardziej opłacalna niż kiedykolwiek wcześniej.
Pamięć SK hynix 1Znm obsługuje prędkości przesyłania danych do 3200 Mb / s, co jest najszybszą szybkością przetwarzania danych interfejsu DDR4. Nowe moduły pamięci 1Znm mają zwiększoną wydajność energetyczną, dzięki czemu skutecznie zmniejszają zużycie energii o około 40% w porównaniu z modułami o tej samej gęstości co poprzednia pamięć DYNAM 1YNnm 8 Gb.
W procesie produkcyjnym zastosowano nową substancję, nieużywaną w poprzedniej generacji, która maksymalizuje pojemność produktu 1Znm. Pojemność to ilość ładunku elektrycznego, którą może przechowywać kondensator, co jest kluczowym elementem w pracy DRAM. W procesie tym wprowadzono również nowy projekt, aby zwiększyć stabilność operacyjną.
Odwiedź nasz przewodnik po najlepszej pamięci RAM na rynku
SK hynix planuje rozszerzyć proces technologii 1Znm na szereg aplikacji, w tym następną generację przenośnej pamięci LPDDR5 DRAM i HBM3, która będzie najszybszą pamięcią DRAM w przyszłości.
Czcionka TechpowerupkitguruSasmung galaxy s8 byłby wyposażony w pamięć RAM o pojemności 8 GB i pamięć ufs 2.1
Samsung Galaxy S8 byłby wyposażony w procesor Snapdragon 835, 256 GB pamięci masowej UFS 2.1 i 8 GB pamięci RAM.
Sk Hynix ogłasza swoją nową pamięć DDR4 o pojemności 8 GB uruchomioną w 1ynm
Nowa pamięć DDR4 DDR4 SK Hynix 8Gb 1Ynm obsługuje transmisję danych do 3200 Mb / s, wszystkie szczegóły.
Western Digital rozwija pamięć flash, aby konkurować z optane
Nowa pamięć Western Digital ma zmieścić się gdzieś pomiędzy 3D NAND a konwencjonalną pamięcią DRAM