Western Digital rozwija pamięć flash, aby konkurować z optane

Western Digital pracuje nad własną pamięcią flash o niskim opóźnieniu, która zapewni wyższą wydajność i wytrzymałość w porównaniu do konwencjonalnej technologii 3D NAND, ostatecznie zaprojektowanej do konkurowania z Intel Optane.

Nowa pamięć Western Digital z technologią LLF będzie konkurować z Z-NAND i Optane

Podczas wydarzenia „Storage Field Day” w tym tygodniu firma Western Digital omówiła swoją nową pamięć o niskim opóźnieniu, która jest obecnie opracowywana. Technologia ma zmieścić się gdzieś pomiędzy 3D NAND a konwencjonalną pamięcią DRAM, podobnie jak Intel Optane i Samsung Z-NAND. Według Western Digital pamięć LLF będzie miała czas dostępu „w zakresie mikrosekund”, wykorzystując architekturę 1 bit na komórkę i 2 bity na komórkę.

Producent przyznaje, że jego nowa pamięć LLF będzie kosztować 10 razy mniej niż DRAM, ale 20 razy więcej niż pamięć 3D NAND (przynajmniej według aktualnych szacunków) pod względem cen za GB, więc jest prawdopodobne, że będzie używana tylko przez Wybieraj aplikacje przeznaczone dla wysokiej klasy centrów danych lub stacji roboczych, podobne do tego, co już oferują Optane i Z-NAND.

Western Digital nie ujawnia wszystkich szczegółów na temat swojej pamięci flash o niskim opóźnieniu i nie można powiedzieć, czy ma to coś wspólnego z ogłoszoną w ubiegłym roku przez firmę Toshiba nisko opóźnioną 3D XL-Flash NAND. Oczywiście firma niechętnie rozmawia o prawdziwych produktach na podstawie ich pamięci LLF lub kiedy będą one dostępne. Ze względu na wyszczególnione powyżej koszty trudno sobie wyobrazić, że te nowe wspomnienia dotrą do zwykłego użytkownika w krótkim okresie.

Czcionka Anandtech