Sk Hynix ogłasza swoją nową pamięć DDR4 o pojemności 8 GB uruchomioną w 1ynm

Gigant pamięci SK Hynix ogłosił opracowanie swojej pamięci DRAM 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM, co oznacza, że ​​można ją wytwarzać przy użyciu litografii 14 nm i 16 nm. Nowy układ oferuje 20% poprawę wydajności w porównaniu do swojego odpowiednika 1Xnm poprzedniej generacji, a także ponad 15% poprawę zużycia energii.

Nowa pamięć RAM SK Hynix 1Ynm 8 Gb DDR4

Nowa pamięć DDR4 DDR4 SK Hynix 8Gb 1Ynm obsługuje transfer danych do 3200 Mb / s, co według firmy jest najszybszą szybkością przetwarzania danych w interfejsie DDR4. SK Hynix zastosował schemat „4-fazowego taktowania”, który powiela sygnał zegara, aby zwiększyć szybkość i stabilność transferu danych.

Zalecamy przeczytanie naszego artykułu na temat pamięci RAM z radiatorem lub bez radiatora

SK Hynix wprowadził również opracowaną przez siebie technologię „ Sense Amp Control ” w celu zmniejszenia zużycia energii i błędów danych. Dzięki tej technologii firma była w stanie poprawić wydajność wzmacniacza sensorycznego. SK Hynix poprawił strukturę tranzystora, aby zmniejszyć możliwość błędów danych, co jest wyzwaniem towarzyszącym redukcji technologii. Firma dodała również obwód o niskiej mocy do obwodu, aby uniknąć niepotrzebnego zużycia energii.

Ta pamięć DDR4 1 Gn i 8 Gb DDR4 ma optymalną wydajność i gęstość dla klientów firmy, jak mówi wiceprezes SK Hynix Sean Kim. SK Hynix planuje rozpocząć wysyłkę od pierwszego kwartału przyszłego roku, aby aktywnie reagować na zapotrzebowanie rynku. SK Hynix planuje zaoferować proces technologii 1Ynm dla serwerów i komputerów PC, a następnie do innych aplikacji, takich jak urządzenia mobilne.

Czcionka Guru3d