Samsung ogłasza exynos 9, pierwszy układ wykonany przy 10 nm

Samsung dokonał oficjalnej prezentacji nowego układu Exynos 9 Series 8895, który będzie obecny w nowych telefonach Samsung Galaxy S8. Ogłoszenie tego nowego procesora stanowi kamień milowy technologiczny, ponieważ jest to pierwszy półprzewodnik o długości 10 nanometrów, który pojawi się na rynku w nadchodzących miesiącach.

Exynos 9 to najmocniejszy procesor, jaki kiedykolwiek stworzył Samsung

Exynos 9 Series 8895 to procesor przeznaczony wyłącznie do telefonów komórkowych i ma nowy proces produkcyjny FINFET 10 nm oraz strukturę tranzystora 3D, najbardziej zaawansowaną do tej pory na świecie. Ten nowy proces produkcyjny poprawia wydajność o 27% i zmniejsza zużycie energii o 40% w porównaniu z poprzednim modelem 14 nm. Postęp w zakresie zużycia energii będzie bardzo widoczny dla poprawy autonomii kolejnych telefonów Samsung, o wiele ważniejsze niż poprawa prędkości.

Exynos 9 to ośmiordzeniowy procesor, z czego cztery o wysokiej wydajności przy 2, 5 GHz i cztery o niskiej mocy rdzenie Cortex-A53 o prędkości 1, 7 GHz. Wewnątrz pakietu znajduje się GPU Mali G71 MP20 550 MHz i kontroler pamięci z obsługą LPDDR4.

Uwzględniono także nowy modem LTE Cat 16, który umożliwia przesyłanie danych online z prędkością do 1 gigabita oraz jednostkę przetwarzającą, która może rejestrować zawartość 4K z prędkością 120 klatek na sekundę.

Exynos 9 jest obecnie w trakcie masowej produkcji i będzie wykorzystywany w kolejnym Samsungu Galaxy S8 wraz z Snapdragonem 835, który jest również produkowany w 10 nanometrach. Samsung użyje jednego lub drugiego układu w zależności od regionu dla nowego Samsunga Galaxy S8, który ma się pojawić w kwietniu.