Hynix produkuje układy ddr4 16 gb, pozwoli na ściemnianie do 256 gb
Spisu treści:
Sk Hynix dodał do swojego katalogu produktów nowe 16 GB pamięci DDR4, które powinny pozwolić na podwojenie maksymalnej pojemności pamięci na moduł DIMM. Dzięki temu SK Hynix może sprzedawać układy o tej samej pojemności z mniejszą liczbą macierzy półprzewodnikowych pamięci, ze względu na zwiększoną gęstość pamięci (więcej danych w tej samej przestrzeni).
Umożliwi moduły DIMM o pojemności 256 GB
Korzyściami są niższe zużycie energii (ze względu na zmniejszoną liczbę macierzy pamięci) oraz zdolność do montowania modułów podwójnej rangi 64 GB, czterokanałowych modułów LRDIMM 128 GB i ośmiozakresowych modułów LRDIMM 256 GB. Ta ostatnia część jest najważniejsza: Teoretycznie maksymalna ilość pamięci na wyższych platformach serwerowych Intel lub AMD może być podwojona, co może na przykład pozwolić na do 4 TB pamięci RAM w systemach EPYC.
Hynix zwiększa gęstość swoich układów DDR4
Układy 16 GB DDR4 SK Hynix są zorganizowane w następujący sposób; 1Gx16 i 2Gx8 i są dostarczane odpowiednio w pakietach FBGA96 i FBGA78. Prędkości układów 16 GB są w trybach DDR4-2133 CL15 lub DDR4-2400 CL17 do 1, 2 V. SK Hynix planuje zwiększyć dostępne częstotliwości w trzecim kwartale tego roku, dodając DDR4-2666 CL19..
Chociaż moduły pamięci 256 GB wydają się nadmierne w stosunku do zwykłych komputerów, są przydatne w systemach serwerowych.
Czcionka TechpowerupHynix produkuje już pamięć gddr5 8 GHz
Hynix ogłasza, że jest to obecnie masowa produkcja pamięci GDDR5 o częstotliwości 8 GHz i teraz dostępna dla producentów kart graficznych
Sk Hynix wprowadza 72-warstwowe układy pamięci 3D NAND
SK Hynix robi nowy krok naprzód w dziedzinie pamięci 3D NAND, ogłaszając nowe 72-warstwowe układy zapewniające większą gęstość pamięci.
Sandisk Inand to nowe układy 256 GB na smartfony
Ogłoszono nowe układy pamięci SanDisk iNAND o pojemności 256 GB i przeznaczone dla smartfonów nowej generacji.