Analiza rdzenia i3-8121u pod mikroskopem ujawnia sekrety tri 10 nm

Nowy proces produkcyjny Intel Tri-Gate 10 nm jest bardziej odporny niż się spodziewano, ponieważ jest już ponad dwa lata opóźniony w stosunku do planowanej premiery. Naukowcy wypatroszyli Core i3-8121U wyprodukowany w tym procesie, aby spróbować wyjaśnić niektóre z jego kluczy.

Proces produkcyjny Intel Tri-Gate 10 nm jest bardzo ambitny

Analiza pod mikroskopem procesora Core i3-8121U wykazała, że ​​proces produkcyjny Intel Tri-Gate 10 nm oferuje wzrost gęstości tranzystora nawet 2, 7 razy w porównaniu z obecnym procesem przy 14 nm Tri-Gate. Ten wielki postęp pozwolił na zintegrowanie nie mniej niż 100, 8 miliona tranzystorów na milimetr kwadratowy, co przekłada się na ilość 12, 8 miliarda tranzystorów o wielkości matrycy zaledwie 127 mm².

Zalecamy przeczytanie naszego posta na temat Sony PlayStation Hits, najlepszych gier na PS4 za 19, 99 euro

Ten węzeł przy 10 nm wykorzystuje technologię trzeciej generacji FinFET, która charakteryzuje się zmniejszeniem minimalnego skoku bramki z 70 nm do 54 nm i minimalnego skoku metalu z 52 nm do 36 nm. Przy tych 10 nm Intel zamierza wprowadzić metalizację kobaltu w masie i warstwach kotwiczących podłoża krzemowego. Kobalt jest dobrą alternatywą dla wolframu i miedzi jako materiału kontaktowego między warstwami, ze względu na niższą odporność w mniejszych rozmiarach.

Jest to najbardziej ambitny proces produkcyjny Intela i byłby to główna przyczyna wszystkich problemów, jakie powoduje on w firmie, chociaż nie przyniesie tak wiele ambicji, jeśli nie uda im się osiągnąć wystarczającego stopnia dojrzałości. Mamy nadzieję, że Intel będzie w stanie go dostroić, aby zaoferować nam swoje najlepsze procesory.

Czcionka Techpowerup