Sk Hynix przedstawia pamięci GDDR6 dla Gpus NVIDIA Volta

SK Hynix ogłosił zaledwie kilka tygodni temu dostępność technologii GDDR6 dla wysokiej klasy kart graficznych. Teraz na imprezie GTC 2017 firma zaprezentowała wafle przyszłych wspomnień zaprojektowanych dla nowej generacji kart graficznych NVIDIA Volta.

Pierwszy układ DRAM wprowadzony przez SK Hynix na GTC 2017 ma pojemność 8 Gb lub 1 GB. W drugiej połowie 2018 r. SK Hynix planuje wprowadzić lepsze funkcje o przepustowości do 16 GB lub 2 GB.

SK Hynix prezentuje pierwszy wafel GDDR6 na GTC 2017

Patrząc na te prędkości, bez wątpienia jest to ogromny skok z 12 Gb / s (GDDR5X) do 16 Gb / s (GDDR5X). Karty graficzne NVIDIA GeForce GTX Titan Xp mają obecnie najwyższą przepustowość spośród wszystkich kart graficznych dla użytkowników indywidualnych, osiągając 547, 7 GB / s za pomocą układów GDDR5X 11, 4 Gb / s. Pierwsza generacja układów GDDR5X miała 10 Gb / s w GTX 1080, chociaż ta karta została niedawno zaktualizowana o układy DRAM 11 Gb / s.

Dla porównania, Fidżi, pierwsza karta graficzna z technologią HBM, miała przepustowość 512 GB / s, podczas gdy następna AMD Vega miałaby przepustowość 512 GB / s i zoptymalizowany podsystem pamięci podręcznej. Z drugiej strony procesor graficzny Volta z 256-bitowym interfejsem pamięci i układem GDDR6 16 Gb / s miałby przepustowość 512 GB / s, zaś układ 384-bitowy Volta i podobną prędkość osiągałby szerokość pasma 768 GB / s.

Krótko mówiąc, technologia GDDR wciąż ma wiele zalet w stosunku do HBM, szczególnie jeśli chodzi o koszty jej wdrożenia i rozwoju.

Mamy nadzieję, że zarówno NVIDIA, jak i AMD wykażą zainteresowanie współpracą z producentami pamięci w celu dostarczania szybszych układów we wszystkich segmentach rynku, szczególnie w sektorze średniej klasy, który jest obecnie zaśmiecony rozwiązaniami GDDR5.