Rambus mówi o charakterystyce pamięci ddr5

Kilka dni temu otrzymaliśmy pierwsze szczegóły nowej, wysokowydajnej technologii stosu pamięci HBM3, teraz przedstawiamy szczegóły nowej DDR5, która pojawi się w ciągu najbliższych kilku lat dla nowej generacji procesorów.

DDR5 osiągnie 4800 MHz przy 1, 2 V.

RAMBUS wydał pierwszą charakterystykę przyszłej pamięci DDR5, która jest już na dość zaawansowanym etapie jej rozwoju, te nowe pamięci pojawią się z częstotliwością podstawową około 4800 MHz, dzięki czemu będą dobrym przyspieszeniem w porównaniu z obecną pamięcią DDR4, Można powiedzieć, że najwolniejszy DDR5 będzie tak szybki, jak najszybszy z około DDR4.

Z biegiem lat ta nowa pamięć DDR5 będzie zyskiwała na korzyściach, tak jak dzieje się to w przypadku wszystkich generacji, jej pułap może wynosić prawie 6400 MHz, co przekłada się na maksymalną przepustowość 51, 2 GB / s, podwojone 25, 6 GB / s osiągnięte dzięki obecnej technologii DDR4.

Aby to wszystko było możliwe, podjęto silne zobowiązanie do poprawy wydajności energetycznej, DDR5 będzie w stanie osiągnąć 4800 MHz przy napięciu zaledwie 1, 2 V, co stanowi istotną poprawę w porównaniu z 1, 5 V, którą musi osiągnąć obecny DDR4 4600 MHz Na koniec podkreślamy, że maksymalna pojemność każdego modułu wzrośnie do 128 GB, dzięki czemu możemy zobaczyć konfiguracje 512 GB przy użyciu tylko czterech modułów.

Pierwsze pamięci DDR5 pojawią się w 2019 r. Wraz z procesem produkcyjnym przy 10 nm, a następnie migrują do najbardziej wydajnej 7 nm.

Czcionka Techpowerup