Pamięć mram Intela jest gotowa do masowej produkcji

Raport EETimes pokazuje, że Intel MRAM (magnetorezystancyjna pamięć o swobodnym dostępie) jest gotowy do produkcji na dużą skalę. MRAM jest technologią pamięci nieulotnej, co oznacza, że ​​może przechowywać informacje nawet w przypadku utraty zasilania, co bardziej przypomina urządzenie pamięci masowej niż standardowa pamięć RAM.

MRAM obiecuje zastąpić pamięci DRAM i NAND Flash

Pamięć MRAM jest rozwijana w celu zastąpienia w przyszłości pamięci DRAM (RAM) i pamięci flash NAND.

MRAM zapowiada się znacznie łatwiej w produkcji i oferuje doskonałe wskaźniki wydajności. Wykazano, że MRAM jest w stanie osiągnąć czas reakcji 1 ns, lepszy niż obecnie akceptowane teoretyczne limity dla pamięci DRAM i znacznie wyższe prędkości zapisu (nawet tysiące razy szybsze) w porównaniu z technologią flash NAND, są powody, dla których ten rodzaj pamięci jest tak ważny.

Może przechowywać informacje przez okres do 10 lat i jest odporny na 200 stopni temperatury

Dzięki obecnym funkcjom MRAM umożliwia przechowywanie danych przez 10 lat w temperaturze 125 stopni Celsjusza i wysoki stopień odporności. Oprócz wysokiej rezystancji, odnotowano, że zintegrowana technologia MRAM 22 nm ma przepływność powyżej 99, 9%, co jest zadziwiającym wyczynem w przypadku stosunkowo nowej technologii.

Nie wiadomo dokładnie, dlaczego Intel wykorzystuje proces 22 nm do produkcji tych pamięci, ale możemy intuicyjnie stwierdzić, że nie jest to nasycanie produkcji przy 14 nm, która jest wykorzystywana przez procesory CPU. Nie skomentowali też, jak długo będziemy musieli poczekać, aż zobaczymy tę pamięć w akcji na rynku PC.

Czcionka Techpowerup