Kioxia pokazuje możliwego następcę nand „Twin Flash Bics”

Kioxia, wcześniej znana jako Toshiba Memory, stworzyła następcę pamięci flash 3D NAND, która oferuje większą gęstość pamięci w porównaniu do pamięci flash NAND QLC.

Kioxia projektuje technologię Twin BiCS Flash, gęstość pamięci NAND

Ta nowa technologia, ogłoszona w czwartek, pozwala układom pamięci mieć mniejsze komórki i więcej pamięci na komórkę, co może znacznie zwiększyć gęstość pamięci na komórkę.

Kioxia ogłosiła pierwszą na świecie „ trójwymiarową półkolistą strukturę komórek pamięci flash typu split-gate” na świecie, o nazwie Twin BiCS Flash. Różni się to od innych produktów Kioxia Flash BiCS5. BiCS5 Flash wykorzystuje okrągłe ogniwa pułapki ładunkowej, a Twin BiCS Flash wykorzystuje półokrągłe pływające komórki bramkowe. Nowa struktura rozszerza okno programowania komórki, chociaż komórki są fizycznie mniejsze w porównaniu z technologią CT.

Flash Twin BiCS jest obecnie najlepszą opcją do osiągnięcia sukcesu dzięki technologii NAND QLC, chociaż przyszłe wdrożenie tego układu nadal nie jest znane. Ten nowy układ znacząco zwiększa pojemność pamięci flash, co było dużym problemem dla producentów, chociaż obecnie istnieją trzy szkoły myślenia, jak to naprawić.

Jedną z opcji jest zwiększenie liczby warstw. Producenci niedawno zatwierdzili 96-warstwowe układy pamięci flash NAND i otrzymali 128-warstwowe układy pamięci flash NAND. Innym sposobem na zwiększenie gęstości technologii flash NAND jest zmniejszenie wielkości komórek, co pozwala na umieszczenie większej liczby komórek w jednej warstwie.

Odwiedź nasz przewodnik po najlepszych dyskach SSD na rynku

Ostatnim sposobem na zwiększenie gęstości pamięci NAND jest poprawa całkowitej liczby bitów na komórkę, która jest najczęściej używana przez producentów. Ta metoda pozwoliła nam uzyskać SLC, MLC, TLC, a najnowszym jest QLC NAND, który zwiększa liczbę bitów na komórkę o jeden w porównaniu z poprzednią technologią.

Ta nowsza technologia, Twin BiCS Flash, wciąż znajduje się w fazie badań i rozwoju i jest jeszcze wiele lat do wdrożenia. Chociaż 128-warstwowe układy pamięci flash NAND firmy BiCS5 mają trafić na rynek w 2020 r., Producenci, SK Hynix i Samsung byli w stanie przekroczyć 100 warstw na początku 2019 r., Ze 128-warstwowymi układami NAND 4D i V-NAND v6.

Czcionka Wccftech