Hynix wydaje pierwszą 96-warstwową pamięć flash 512 GB Nand CTF 4d
Spisu treści:
SK Hynix wypuścił dziś na świecie pierwszą na świecie 96-warstwową pamięć flash 4D NAND o pojemności 96 GB i pojemności 512 GB (Charge Trap Flash). Ten nowy rodzaj pamięci flash jest nadal oparty na technologii 3D TLC, ale SK Hynix dodał czwarty wymiar ze względu na połączenie technologii flash pułapki ładowania w połączeniu z „PUC” (technologia Peri. Under Cell).
SK Hynix wprowadził nowe 96-warstwowe pamięci 4D NAND
SK Hynix twierdzi, że jego koncentracja jest (oczywiście) lepsza niż powszechnie stosowane podejście do drzwi pływających 3D. Konstrukcja układu 4D NAND powoduje ponad 30% zmniejszenie rozmiaru układu i zwiększa wydajność bit-per-wafel o 49% w porównaniu do 72-warstwowej 3D NAND 512 Gb firmy. Ponadto produkt ma o 30% większą prędkość zapisu i o 25% większą wydajność odczytu danych.
Przepustowość danych również podwoiła się, aby stać się liderem w branży (pod względem wielkości) przy rozmiarze 64 KB. Szybkość operacji we / wy danych (wejście / wyjście) sięga 1200 Mb / s (megabitów / s) przy napięciu 1, 2 V.
Pierwsze dyski 1 TB pojawią się w 2019 roku
Planuje się wprowadzić dyski konsumenckie o pojemności do 1 TB wraz ze sterownikami i oprogramowaniem układowym SK Hynix. Firma planuje użyć 1 TB TLC i 96-warstwowych układów pamięci QLC w 2019 roku.
To przyszłość dysków półprzewodnikowych z ulepszeniami na wszystkich frontach, zwiększonymi możliwościami oraz prędkościami odczytu i zapisu.
Czcionka TechpowerupToshiba opracowuje pierwszą 4-bitową pamięć nand qlc na komórkę
Toshiba ogłosiła dziś nową technologię pamięci NAND QLC o większej gęstości pamięci niż ta oferowana przez TLC.
Pny 512 Elite Microsd to pierwsza karta pamięci Microsd o pojemności 512 GB
PNY 512 Elite MicroSD to pierwsza karta pamięci oferująca pojemność 512 GB w formacie MicroSD, co jest wyczynem inżynieryjnym.
Samsung ogłasza pierwszą pamięć 8 gp lpddr5 wyprodukowaną przy 10 nm
Firma Samsung ogłosiła dzisiaj, że z powodzeniem opracowała pierwszą w branży 10-nanometrową pamięć LPDDR5 DRAM o pojemności 8 gigabitów. Samsung ogłosił dzisiaj, że z powodzeniem opracował pierwszą w branży 10-nanometrową pamięć LPDDR5 DRAM o pojemności 8 gigabitów.
