Adata ogłasza najnowsze postępy w modułach pamięci dram ddr3
ADATA Technology, światowy lider w dziedzinie pamięci DRAM i pamięci flash, wprowadza nowe moduły pamięci o dużej gęstości 8 GB DDR3-1600 w jednym module. Znane ze ścisłej kontroli najwyższych standardów jakości i inżynierii urządzeń, nowe moduły spełnią i przekroczą oczekiwania użytkowników poszukujących produktów DRAM o wysokiej wydajności i jakości.
Wprowadzając ten produkt, firma ADATA kontynuuje tradycję bycia liderem w dziedzinie produktów DRAM. Moduły pamięci DDR3-1600 8 GB w jednym module pozwalają użytkownikom zwiększyć wydajność swoich systemów pomimo ograniczeń dostępności gniazd pamięci.
240-pinowe moduły serii DDR3 1600 MHz (niebuforowane moduły DIMM) działają przy napięciu 1, 5 wolta i mają przepustowość do 12, 8 Gb / s (PC3 12800). Wyprodukowane z najlepszych 4 GB pamięci DRAM o wysokiej gęstości, dzięki którym mogą pracować szybciej, zużywają mniej energii, a zatem działają w niższych temperaturach. Wszystkie moduły pamięci spełniają wymagania JEDEC oraz standardy projektowania i produkcji RoHS, zapewniając zgodność ze wszystkimi typami systemów komputerowych i są produktami przyjaznymi dla środowiska. Moduły pamięci ADATA są objęte dożywotnią gwarancją i serwisem, aby zapewnić użytkownikom najlepszą ochronę.
Uwaga: 10-letnia gwarancja w Niemczech, Francji i Austrii.
Cechy produktu:
- 8 GB240 pinów Bezbuforowy moduł DIMM / 204 pin SO-DIMM Spełnia specyfikacje JEDEC DDR3-1600 i jest zgodny z DDR3-1333 i niższymi częstotliwościami pamięci Spełnia specyfikacje RoHS
Adata wypuszcza moduły cl9 ddr3 1600 MHz z gęstością pamięci 8 GB w serii podkręcania xpg
Tajpej, Tajwan - 1 marca 2012 r. - ADATA Technology, wiodący producent wysokowydajnych modułów DRAM i produktów pamięci NAND Flash, osiąga
Wczesne recenzje radeona rx 590 pokazują rozczarowujące postępy Polaris przy 12 nm
Radeon RX 590 rozczarowuje w recenzjach, Polaris otrzymuje pewne sterydy, ale bez cudów i o wysokim zużyciu energii.
Atp ogłasza nowe pamięci ddr3 z modułami 8 Gbit
Firma ogłosiła zobowiązanie do unikania braków pamięci DDR3 dzięki nowym modułom o dużej pojemności 8 Gb.